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当两种不同的绝缘物体相互摩擦分离时，就会各自产生数量相同、极性相反的电荷，从而形成带电，产生静电现象，当产生的静电积蓄并由此产生静电电荷放电时，就会产生静电危害。

静电防护技术主要是伴随着半导体业的大发展而迅速发展起来的。随着上世纪四十年代半导体器件的研发成功，在以后短短的几十年时间里，半导体、微电子、光电子行业的发展非常迅速；与此同时，静电对集成电路、光电器件等的损害也日益---：随着集成电路集成度的提高，集成电路的内绝缘层越来越薄、互连导线宽度与间距越来越小，cmos器件绝缘层的典型厚度约为0．1μm，其相应耐击穿电压大致为80至100v，vmos器件绝缘层更薄，其相应耐击穿电压为30v左右，而千兆位dram的耐击穿电压仅为10至20v，这些产品的生产和运输、储存等过程中产生的静电电压远大于上述阈值，因此可能造成器件产生击穿（或）软击穿，使之失效或---影响产品---性。据惠普公司的---，美国在集成电路---发展的初期，每年因静电造成电子工业直接---达一百多亿美元。美国艘阿波罗载人宇宙飞船，就是因静电引燃液氧导致发射失败，三名宇航员因此丧生。鉴于静电危害给半导体等行业造成的---损失，从20世纪60年代初起，欧美开始投入大量人力和资金研究和解决半导体等行业的静电防护问题，并由此催生了专门的防静电行业。经过数十年的努力，至20世纪90年代，静电对半导体等行业造成损失---减少。惠普公司对半导体、电子、光电子行业的静电防护投入情况---发现，每投入1美元用于静电防护可减少9美元损失。